集成電路（Integrated Circuit，IC）是通過(guò)半導(dǎo)體技術(shù)將許多晶體二極管、三極管、電阻等元件制作在微小的硅單晶晶片上，并連接起來(lái)完成特定電子技術(shù)功能的電子電路。集成電路廣泛應(yīng)用于計(jì)算機(jī)、通信、汽車、家用電器等領(lǐng)域。同時(shí)，它們是現(xiàn)代信息產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)，已成為最具潛力和活力的產(chǎn)業(yè)之一。

集成電路的發(fā)展歷史可以追溯到20世紀(jì)50年代。經(jīng)過(guò)幾十年的發(fā)展，它現(xiàn)在已經(jīng)成為現(xiàn)代電子技術(shù)的核心。人們常常把電子設(shè)備的每一次重大變革作為衡量電子技術(shù)發(fā)展的標(biāo)志。1904年出現(xiàn)的半導(dǎo)體器件（如真空三極管）稱為第一代，1948年出現(xiàn)的半導(dǎo)體器件（如半導(dǎo)體三極管）稱為第二代，1959年出現(xiàn)的集成電路稱為第三代，1974年出現(xiàn)的大規(guī)模集成電路稱為第四代。經(jīng)過(guò)多年的產(chǎn)業(yè)更新迭代和技術(shù)轉(zhuǎn)型升級(jí)，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈已趨于穩(wěn)定和完整。

集成電路有很多種，按集成度、封裝形式、制造工藝和電路功能可分為數(shù)字電路、模擬電路和接口電路。與分立元件電路相比，集成電路具有體積小、重量輕、壽命長(zhǎng)、速度快、功耗低、成本低和可靠性高等特點(diǎn)。在信息時(shí)代，集成電路技術(shù)是最重要和最基礎(chǔ)的技術(shù)。沒(méi)有集成電路產(chǎn)業(yè)的支撐，信息社會(huì)將失去根基，這就是為什么集成電路被稱為現(xiàn)代工業(yè)的“糧食”。

1947年12月23日，世界上第一個(gè)晶體管誕生了。主要發(fā)明者是貝爾實(shí)驗(yàn)室的三位半導(dǎo)體物理學(xué)家:威廉姆·肖克利、沃爾特·布拉坦和約翰·巴丁。1958年，基爾比將幾個(gè)鍺晶體管芯片粘在一個(gè)鍺芯片上，并用細(xì)金線將這些晶體管連接起來(lái)，形成了世界上第一個(gè)集成電路。與此同時(shí)，仙童半導(dǎo)體公司的羅伯特·諾伊斯于1959年1月23日推出了用于金屬互連的“平面技術(shù)”。他們被認(rèn)定為集成電路的共同發(fā)明人。

在此期間，中國(guó)提出了“向科學(xué)進(jìn)軍”的口號(hào)，國(guó)務(wù)院制定了12年科技發(fā)展規(guī)劃，并將電子產(chǎn)業(yè)列為重點(diǎn)發(fā)展目標(biāo)。中國(guó)科學(xué)院成立了計(jì)算技術(shù)研究所。為了培養(yǎng)電子行業(yè)的人才，中國(guó)教育部集中了國(guó)內(nèi)五所大學(xué)的科研資源，在北京大學(xué)設(shè)立了半導(dǎo)體專業(yè)。中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究室、王守玨等人研制成功我國(guó)第一批鍺合金擴(kuò)散高頻晶體管，頻率達(dá)到150MHz。

中小型集成電路誕生：1960年，諾伊斯用平面技術(shù)生產(chǎn)了第一個(gè)實(shí)用的集成電路芯片。1961年，飛兆半導(dǎo)體公司推出了平面集成電路。這個(gè)過(guò)程是使用拋光的硅片并采用“光刻”技術(shù)形成半導(dǎo)體電路的組件，如二極管、三極管、電阻器和電容器。只要“光刻機(jī)”的精度不斷提高，元件的密度就會(huì)相應(yīng)增加，具有很大的發(fā)展?jié)摿?。因此，平面技術(shù)被認(rèn)為是“整個(gè)半導(dǎo)體的工業(yè)紐帶”，是摩爾定律的技術(shù)基礎(chǔ)。同年，中國(guó)科學(xué)院成立了半導(dǎo)體研究所，同年成立了河北半導(dǎo)體研究所，開(kāi)展產(chǎn)業(yè)技術(shù)攻關(guān)。1962年，中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所成立中國(guó)半導(dǎo)體測(cè)試中心。1963年，中國(guó)中央政府成立了第四機(jī)械工業(yè)部來(lái)管理中國(guó)的電子工業(yè)。

1962年，史蒂文·霍夫斯坦和另一位年輕工程師弗雷德里克·海曼研究的一個(gè)項(xiàng)目取得了成功。他們希望生產(chǎn)一種硅絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管，這種晶體管可以用于由數(shù)千個(gè)晶體管組成的電路。他們宣布共同開(kāi)發(fā)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）。到今年年底，一個(gè)2500平方毫米（1毫米等于千分之一英寸）的集成電路芯片上可以容納16個(gè)MOSFET。到1963年，美國(guó)無(wú)線電公司已經(jīng)制造出包含數(shù)百個(gè)這種設(shè)備的芯片。

1965年，時(shí)任仙童半導(dǎo)體公司研發(fā)實(shí)驗(yàn)室主任的戈登·摩爾寫(xiě)了一份觀察報(bào)告，他發(fā)現(xiàn)每個(gè)新芯片的容量大約是上一個(gè)芯片的兩倍，而且每個(gè)芯片都是在上一個(gè)芯片生產(chǎn)后的18至24個(gè)月內(nèi)生產(chǎn)的。如果這種趨勢(shì)持續(xù)下去，計(jì)算能力將隨時(shí)間呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)。這種趨勢(shì)就是后來(lái)的摩爾定律，它成為許多行業(yè)業(yè)績(jī)預(yù)測(cè)的基礎(chǔ)。同年，上海華東計(jì)算技術(shù)研究所與上海冶金研究所、上海元件五廠等單位合作，開(kāi)始研制655型數(shù)字集成電路主機(jī)，由陳仁福副研究員（照片右側(cè)）主持，重點(diǎn)研究TTL集成電路。1969年在上海無(wú)線電十三廠投產(chǎn)，命名為TQ-6計(jì)算機(jī)，每秒運(yùn)算100萬(wàn)次，裝有磁盤操作系統(tǒng)和語(yǔ)言編譯器。

1968年，中國(guó)國(guó)防科委成立了固態(tài)電路研究所（現(xiàn)中電集團(tuán)24所），這是中國(guó)唯一的模擬集成電路研究所。同年，上海無(wú)線電十四廠率先制造出PMOS（P型金屬氧化物半導(dǎo)體）電路。它是我國(guó)MOS集成電路發(fā)展的序幕。

大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路的誕生：20世紀(jì)70年代初，英特爾公司制造了4004微處理器系列。這款4位4004是第一款微處理器，采用P溝道MOS技術(shù)制造，面積為150x110平方英里。這種“準(zhǔn)計(jì)算器”的出現(xiàn)極大地發(fā)展了MOS集成電路。

1970年，中國(guó)建造了北京878廠，主要生產(chǎn)TTU（配電變壓器監(jiān)控終端）電路、CMOS（互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體）時(shí)鐘電路和A/D轉(zhuǎn)換電路。同年，上海無(wú)線電19廠建成，主要生產(chǎn)TTL和HTL數(shù)字集成電路。是中國(guó)最早生產(chǎn)雙極型數(shù)字集成電路的專業(yè)工廠。1973年8月26日，中國(guó)第一臺(tái)集成電路電子計(jì)算機(jī)——105號(hào)計(jì)算機(jī)問(wèn)世。該計(jì)算機(jī)是在北京大學(xué)、北京電纜廠和燃料化學(xué)工業(yè)部的協(xié)助下研制成功的。隨后，由王陽(yáng)元等人領(lǐng)導(dǎo)的北京大學(xué)物理系半導(dǎo)體研究組設(shè)計(jì)了中國(guó)第一批三種類型（硅柵NMOS、硅柵PMOS和鋁柵NMOS）的1k DRAM動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。1979年，上海元件五廠和上海無(wú)線電十四廠聯(lián)合仿制5G8080八位微處理器（編號(hào)5G8080）。8080是英特爾公司于1974年推出的第二款CPU處理器。它集成了6000個(gè)晶體管，每秒可執(zhí)行29萬(wàn)次操作。后來(lái)由于大躍進(jìn)運(yùn)動(dòng)，為了控制嚴(yán)重的宏觀經(jīng)濟(jì)混亂和減少投資數(shù)額，中國(guó)中央突然停止和推遲了400多個(gè)大中型項(xiàng)目，1981年又停止和推遲了22個(gè)大型項(xiàng)目。

20世紀(jì)80年代，超大規(guī)模集成電路（VLSI）技術(shù)得到廣泛應(yīng)用，它可以集成數(shù)千萬(wàn)個(gè)晶體管，提高電子元件的密度和性能。超大規(guī)模集成電路和射頻芯片誕生，移動(dòng)通信蓬勃發(fā)展。隨后，人們簡(jiǎn)化了復(fù)雜的CPU功能，并將其與GPU相結(jié)合，推出了適用于移動(dòng)智能終端的APU。在同一時(shí)期的開(kāi)始，中國(guó)也建立了許多相關(guān)部門。然而，由于中國(guó)中央政府完全停止了對(duì)電子行業(yè)的投資，電子企業(yè)不得不自己去市場(chǎng)尋找資源。所以中國(guó)電子工業(yè)的技術(shù)升級(jí)完全停止了。后來(lái)，為了解決問(wèn)題，電子工業(yè)部在廈門召開(kāi)了集成電路戰(zhàn)略研討會(huì)并提出了“531戰(zhàn)略”。即“普及5μm技術(shù)，發(fā)展3μm技術(shù)，攻關(guān)1μm技術(shù)”，實(shí)施南北兩個(gè)微電子基地。南方集中在江浙滬，北方集中在北京。在政策的支持下，中國(guó)誕生了五家大型國(guó)有半導(dǎo)體企業(yè)，從而慢慢步入正軌。

20世紀(jì)90年代后，在半導(dǎo)體敏感器件和集成電路微加工技術(shù)的基礎(chǔ)上，MEMS技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生。在互聯(lián)網(wǎng)和射頻技術(shù)的參與下，物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)運(yùn)而生，并有望成為電子信息領(lǐng)域最大的產(chǎn)業(yè)。

1990年8月，中國(guó)國(guó)務(wù)院決定在第八個(gè)五年計(jì)劃中啟動(dòng)總投資20億元的“908工程”，屆時(shí)半導(dǎo)體技術(shù)將達(dá)到1μm工藝。1996年7月，歐美33國(guó)正式簽署了《瓦森納協(xié)定》。該協(xié)議的民用技術(shù)管制清單包括九個(gè)類別:電子設(shè)備、計(jì)算機(jī)和傳感器?！盾娛录夹g(shù)管制清單》包括22個(gè)類別。中國(guó)是被禁運(yùn)的國(guó)家之一。到20世紀(jì)90年代末，中國(guó)微電子技術(shù)與國(guó)外的差距至少有10年。

進(jìn)入21世紀(jì)，隨著新材料和新工藝的應(yīng)用，集成電路的發(fā)展取得了更大的進(jìn)步。三維集成電路和片上系統(tǒng)技術(shù)已經(jīng)成為集成電路的主流。三維集成電路采用多層芯片的垂直堆疊方式，大大提高了電子元器件的集成度。片上系統(tǒng)將整個(gè)電子系統(tǒng)集成在一個(gè)芯片上，具有高度的集成度和靈活性。

石墨烯場(chǎng)效應(yīng)晶體管是目前研究進(jìn)展最深入的新型原理器件。石墨烯是由單層蜂窩狀晶格中的碳原子組成的二維材料，載流子遷移率高達(dá)15000cm2/VS，熱導(dǎo)率高達(dá)5000W/mk，均為硅的100倍以上。2010年2月，IBM開(kāi)發(fā)了一種頻率高達(dá)100GHz、柵極長(zhǎng)度為240nm的石墨烯FET。之后，全球范圍內(nèi)開(kāi)展了石墨烯基電子器件特別是RF-FET的研究。提高了半導(dǎo)體原理器件的豐富性和靈活性。

經(jīng)過(guò)多年的產(chǎn)業(yè)更新迭代和技術(shù)轉(zhuǎn)型升級(jí)，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈已趨于穩(wěn)定和完整。完整的集成電路產(chǎn)業(yè)鏈包括上游的材料和設(shè)備行業(yè)、設(shè)計(jì)行業(yè)、制造行業(yè)、封裝和測(cè)試行業(yè)以及下游行業(yè)，如車聯(lián)網(wǎng)、人工智能、物聯(lián)網(wǎng)、智能汽車和可穿戴電子設(shè)備。

全球集成電路產(chǎn)品市場(chǎng)規(guī)模和產(chǎn)業(yè)集聚集中度較高。全球集成電路市場(chǎng)主要包括美國(guó)、歐盟、日本和亞太地區(qū)，從產(chǎn)業(yè)集聚度來(lái)看，美國(guó)、歐盟、日本、韓國(guó)和亞太地區(qū)，其中中國(guó)和中國(guó)臺(tái)灣省也是產(chǎn)業(yè)集聚的重點(diǎn)地區(qū)。從產(chǎn)品區(qū)域來(lái)看，亞太地區(qū)一直是全球最大的集成電路市場(chǎng)，其銷售收入占全球集成電路市場(chǎng)的一半以上。2018年亞太地區(qū)的銷售收入相當(dāng)于其他國(guó)家和地區(qū)總和的0.66倍。在全球集成電路市場(chǎng)份額中，亞太地區(qū)、美國(guó)、歐盟和日本分別占60.34%、21.97%、9.16%和8.52%。

作為集成電路行業(yè)的技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者，美國(guó)在集成電路的增長(zhǎng)速度上遙遙領(lǐng)先于其他國(guó)家和地區(qū)。在某種程度上，美國(guó)集成電路的增長(zhǎng)趨勢(shì)代表了全球整體趨勢(shì)。2011年以來(lái)，全球集成電路市場(chǎng)增速放緩，增速?gòu)?010年的31.82%降至0.40%，同比下降25.70%。直到2017年全球集成電路市場(chǎng)才逐漸復(fù)蘇，成為新一輪集成電路市場(chǎng)的轉(zhuǎn)折點(diǎn)，增長(zhǎng)率為211.62%，其中美國(guó)的增長(zhǎng)率為35.03%。2018年美的增速為16.39%，銷售收入為1029億美元。歐盟和日本集成電路銷售收入分別為429.57億美元，增速為12.13%和399.61億美元，增速為9.20%。

功能分類

根據(jù)功能的不同，集成電路可以分為三種設(shè)計(jì)模式:數(shù)字電路設(shè)計(jì)、模擬電路設(shè)計(jì)和混合電路設(shè)計(jì)。數(shù)字電路設(shè)計(jì):數(shù)字電路設(shè)計(jì)是設(shè)計(jì)和實(shí)現(xiàn)數(shù)字電路的過(guò)程，數(shù)字電路用于處理數(shù)字信號(hào)。數(shù)字電路設(shè)計(jì)通常包括邏輯器件（CPU、FPGA、CPLD）、存儲(chǔ)器（RAM、ROM）和微處理器（MCU、DSP）。

模擬電路設(shè)計(jì):模擬電路設(shè)計(jì)是處理模擬信號(hào)的電子電路設(shè)計(jì)。自然界中絕大多數(shù)信號(hào)都是模擬信號(hào)，它們具有連續(xù)的幅度值。模擬電路設(shè)計(jì)可用于設(shè)計(jì)此類信號(hào)，例如，功率放大器可設(shè)計(jì)為通過(guò)模擬電來(lái)放大聲音信號(hào)或圖像信號(hào)。模擬電路設(shè)計(jì)通常包括電源管理、RF、PLL和放大器，常用的設(shè)計(jì)工具包括SPICE。

混合信號(hào)電路設(shè)計(jì):混合信號(hào)電路設(shè)計(jì)是一種將數(shù)字電路與模擬電路相結(jié)合的設(shè)計(jì)過(guò)程。它通常包括數(shù)字信號(hào)處理、模擬信號(hào)處理、數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換等。常見(jiàn)的設(shè)計(jì)工具包括Cadence等。

特殊電路設(shè)計(jì):特殊電路設(shè)計(jì)是一些特殊應(yīng)用場(chǎng)景中的電路設(shè)計(jì)，如功率放大器、射頻電路、高速X電路、低功耗電路等。常用的設(shè)計(jì)工具包括廣告。

集成級(jí)別

小規(guī)模集成電路（SSI）:每個(gè)芯片的元件少于100個(gè)，也稱為普通集成電路。

中規(guī)模集成電路（MSI）:每個(gè)芯片上有100到1000個(gè)組件的集成電路。

大規(guī)模集成電路:每個(gè)芯片上有1000到100000個(gè)元件的集成電路。

超大規(guī)模集成電路（VLSI）:一個(gè)芯片上有10萬(wàn)到100萬(wàn)個(gè)集成電路的集成電路。

超大規(guī)模集成電路:一個(gè)芯片上有一百萬(wàn)到一億個(gè)集成電路。

大規(guī)模集成電路（GSI）:在一個(gè)芯片上有超過(guò)1億片集成電路。

導(dǎo)電類型 

它可分為雙極集成電路、單極集成電路和兼容集成電路。雙極集成電路:雙極集成電路具有導(dǎo)電性，具有空穴和自由電子，其制造工藝復(fù)雜且功耗高。有TTL、ECL、HTL、LST-TL和STTL集成電路，如74LS系列集成電路。

單極集成電路:單極集成電路只有大部分載體導(dǎo)電，制造工藝簡(jiǎn)單，功耗低，易于制造大規(guī)模集成電路。代表性的集成電路包括CMOS、NMOS和PMOS，如CD4000系列和74HC系列集成電路。

制造過(guò)程分類 

薄膜集成電路:它是通過(guò)在絕緣襯底上涂覆或印刷電路元件而形成的某種形式的電路。

混合集成電路:是將薄膜集成電路和半導(dǎo)體集成電路技術(shù)相結(jié)合而制成的集成電路。混合集成電路具有便于拼湊的優(yōu)點(diǎn)。

半導(dǎo)體集成電路:是用所謂的“平面工藝”方法在半導(dǎo)體材料（主要是硅）晶片上制作各種有源或無(wú)源元件，并形成一定功能的電路。

目的分類

按用途可分為電視集成電路、音頻集成電路、DVD播放機(jī)集成電路、消費(fèi)類集成電路、通信集成電路、攝像機(jī)集成電路、遙控集成電路、語(yǔ)言集成電路、報(bào)警集成電路、電源集成電路和各種專用集成電路。在集成電路制造企業(yè)中，一般按用途分類。

主集成電路：專門為特定應(yīng)用或特定電子產(chǎn)品開(kāi)發(fā)的集成電路性能穩(wěn)定、功能強(qiáng)大、保密性好。目前，門陣列（CA）、標(biāo)準(zhǔn)單元集成電路（CBIC）、可編程邏輯器件（PLD）、模擬陣列和數(shù)模混合陣列以及完全定制的集成電路得到了廣泛應(yīng)用。

集成電路設(shè)計(jì)和仿真：模擬集成電路的設(shè)計(jì)過(guò)程包括拓?fù)溥x擇、電路參數(shù)設(shè)計(jì)、版圖設(shè)計(jì)、制造和測(cè)試。模擬集成電路設(shè)計(jì)的早期階段主要由手工完成，效率低下。模擬電路參數(shù)的自動(dòng)優(yōu)化方法對(duì)于解放人力、降低時(shí)間成本具有重要意義。

半導(dǎo)體技術(shù)：半導(dǎo)體技術(shù)是制造集成電路的關(guān)鍵技術(shù)之一。該工藝包括晶體生長(zhǎng)、晶片制備、掩模工藝等步驟。晶體生長(zhǎng)是指制備單晶硅的過(guò)程，通常采用直拉生長(zhǎng)法或區(qū)熔法。晶圓制備包括化學(xué)氣相沉積、物理氣相沉積、化學(xué)機(jī)械拋光等步驟。掩模技術(shù)是通過(guò)光刻技術(shù)將芯片上的電路圖案顯影到硅片上的過(guò)程。

高純?cè)噭┑闹苽洌撼瑑舾呒冊(cè)噭┦浅笠?guī)模集成電路制造過(guò)程中的關(guān)鍵基礎(chǔ)化學(xué)材料之一，具有品種多、用量大、技術(shù)要求高、保質(zhì)期短、腐蝕性強(qiáng)等特點(diǎn)。其純度和清潔度對(duì)集成電路的成品率、電性能和可靠性有非常重要的影響。制備高純度試劑的關(guān)鍵是控制和達(dá)到所需的雜質(zhì)含量和粒度。

化學(xué)機(jī)械拋光：化學(xué)機(jī)械拋光是一種結(jié)合化學(xué)反應(yīng)和機(jī)械摩擦對(duì)材料表面進(jìn)行加工的技術(shù)。它通常用于集成電路的制造過(guò)程中，以平滑晶片表面并去除表面上的缺陷和污染物?；瘜W(xué)機(jī)械拋光的優(yōu)點(diǎn)是可以產(chǎn)生非常光滑的表面，但缺點(diǎn)是工藝復(fù)雜且成本高。

其他技術(shù)：濺射靶材制備:濺射沉積工藝，即在一定的真空環(huán)境下，用帶電粒子轟擊材料表面，使粒子從材料表面濺射并沉積在基底表面形成厚度均勻的薄膜，是制備薄膜的主要技術(shù)之一，被轟擊的靶材稱為濺射靶材。靶材的制備方法主要包括鑄錠法、粉末冶金法等。

封裝技術(shù):封裝的主要目的是保護(hù)芯片并使其穩(wěn)定工作。包裝方式包括金屬包裝、塑料包裝、陶瓷包裝、玻璃包裝等等。金屬封裝和塑料封裝廣泛應(yīng)用于電路中。

光刻:光刻是集成電路技術(shù)中最常用和最關(guān)鍵的技術(shù)之一。隨著芯片集成度的不斷提高，晶體管的器件特征尺寸也在縮小。這項(xiàng)技術(shù)有三個(gè)主要部分:光學(xué)系統(tǒng)、掩模技術(shù)和光刻膠，而光刻技術(shù)也決定了制造技術(shù)的先進(jìn)程度。

蝕刻工藝:與薄膜沉積技術(shù)相反，蝕刻工藝的傳統(tǒng)定義是通過(guò)物理手段去除光刻工藝后未被光刻膠覆蓋或保護(hù)的部分，從而完成將掩模上的圖案轉(zhuǎn)移到薄膜上的目的。

沉積工藝:在一定的襯底上，通過(guò)濺射、氧化、外延、蒸發(fā)和電鍍等方法制成絕緣體、半導(dǎo)體、金屬和合金的薄膜，薄膜的厚度在納米和微米之間。薄膜的沉積方法通常是指薄膜的生長(zhǎng)過(guò)程與基底之間沒(méi)有相互作用，即在基底材料上疊加一層或幾層其他材料，而不改變基底材料的厚度和晶體取向。

清洗工藝:主要原理是通過(guò)有機(jī)化合物化學(xué)或其他有機(jī)物理相互作用，有效氧化和去除各種新型工件材料內(nèi)表面的化學(xué)污垢分子，從而有效去除工件產(chǎn)品內(nèi)部分子中濃度水平較低的各種固體化學(xué)污染物，一般分為化學(xué)反應(yīng)清洗（ppe）和物理清洗（又稱濺射腐蝕）。

封測(cè)工藝:傳統(tǒng)封裝工藝為來(lái)料檢驗(yàn)-加工減薄-劃片-壓焊-塑封-電鍍-印刷-切筋成型和質(zhì)檢。

曝光技術(shù):常用的曝光方法有接觸、接近和投影。其中投影曝光系統(tǒng)是最常用的一種，是目前集成電路生產(chǎn)中最常用的曝光方法。

金屬蒸發(fā):金屬蒸發(fā)是制作金屬電路的過(guò)程，包括真空蒸發(fā)和電鍍。

分離技術(shù):分離技術(shù)是一種用于從混合物中分離所需組分的方法。在集成電路的制造中，分離技術(shù)通常用于從材料中分離所需的或其他高純度的材料。一些常用的分離技術(shù)包括離心、電泳和過(guò)濾。

改性和摻雜過(guò)程:改性和摻雜過(guò)程不會(huì)改變基底材料的厚度，而只是改變材料本身的性質(zhì)。它可以通過(guò)擴(kuò)散和離子注入來(lái)實(shí)現(xiàn)。

集成電路是半導(dǎo)體集成電路，即以半導(dǎo)體材料為襯底，將至少兩個(gè)元件和部分或全部互連線與襯底中或襯底上的至少一個(gè)有源元件集成在一起，然后通過(guò)擴(kuò)散或滲透工藝形成N型、P型半導(dǎo)體或P-N結(jié)。讓它與電路板上的其他元件結(jié)合，完成一些具有特定功能的電路模塊。通常，它們由半導(dǎo)體材料獨(dú)特的電子空穴傳導(dǎo)能量提供能量，使電流可以通過(guò)半導(dǎo)體上的引線和引腳輸入或輸出，以完成半導(dǎo)體集成電路所需的特定功能。集成電路是電子設(shè)備中最重要的部分，承擔(dān)著運(yùn)算和存儲(chǔ)的功能。

數(shù)字集成電路的實(shí)現(xiàn)包括FPGA和ASIC，下面重點(diǎn)介紹FPGA的設(shè)計(jì)方法。FPGA（現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列）具有性能好、規(guī)模大、可重復(fù)編程、開(kāi)發(fā)投資低等優(yōu)點(diǎn)。，并廣泛應(yīng)用于現(xiàn)代電子產(chǎn)品中。

芯片設(shè)計(jì)通常分為兩類:正向設(shè)計(jì)和反向設(shè)計(jì)。正向設(shè)計(jì)一般用于實(shí)現(xiàn)一種新的設(shè)計(jì)，而逆向設(shè)計(jì)則是在理解他人設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)上進(jìn)行一些修改或改進(jìn)。這兩個(gè)類別可以分為“自上而下”和“自下而上”的設(shè)計(jì)步驟。在FPGA設(shè)計(jì)中，經(jīng)常采用分層設(shè)計(jì)方法，以模塊和層次進(jìn)行設(shè)計(jì)描述。分層設(shè)計(jì)方法相對(duì)自由，可以采用自頂向下設(shè)計(jì)或自底向上設(shè)計(jì)，可以在任何級(jí)別使用原理圖輸入和硬件描述語(yǔ)言HDL設(shè)計(jì)。傳統(tǒng)的電路設(shè)計(jì)方法是自下而上的，即首先確定可用的元件，然后根據(jù)這些元件進(jìn)行邏輯設(shè)計(jì)，并在完成后將模塊連接起來(lái)，最終形成系統(tǒng)。基于EDA技術(shù)的集成電路設(shè)計(jì)主要是自頂向下的設(shè)計(jì)方法，具體流程如下。

采用FPGA技術(shù)的數(shù)字邏輯系統(tǒng)設(shè)計(jì)的大部分工作都是在EDA軟件平臺(tái)上完成的，其設(shè)計(jì)過(guò)程包括設(shè)計(jì)輸入、設(shè)計(jì)處理、設(shè)計(jì)驗(yàn)證和器件編程，以及相應(yīng)的功能仿真、時(shí)序仿真和器件測(cè)試。采用可編程邏輯器件的數(shù)字集成電路的EDA設(shè)計(jì)的典型過(guò)程主要包括六個(gè)步驟:設(shè)計(jì)輸入、功能仿真、邏輯綜合、布局布線、時(shí)序仿真和器件編程下載。

設(shè)計(jì)輸入:通常有兩種方式，一種是HDL輸入。幾乎所有設(shè)計(jì)軟件都支持這兩種語(yǔ)言的設(shè)計(jì)輸入。HDL輸入具有良好的便攜性和通用性。但對(duì)于初學(xué)者來(lái)說(shuō)，很難寫(xiě)出恰當(dāng)?shù)木渥觼?lái)準(zhǔn)確反映設(shè)計(jì)意圖。另一種常用的輸入方法稱為示意輸入。與HDL輸入相比，直觀易懂，元件庫(kù)資源豐富。但可移植性較差，特別是在設(shè)計(jì)大規(guī)模電路時(shí)，這種方法的可維護(hù)性較差。

功能模擬:是在不考慮器件延遲的情況下模擬一個(gè)設(shè)計(jì)項(xiàng)目，以驗(yàn)證其邏輯功能的正確性，也稱為預(yù)模擬。

邏輯綜合:是將高級(jí)系統(tǒng)描述翻譯成低級(jí)門級(jí)邏輯電路的過(guò)程，即將設(shè)計(jì)輸入的高級(jí)語(yǔ)言或原理圖合成為底層軟件可識(shí)別的網(wǎng)表文件?，F(xiàn)在最廣泛使用的是電子設(shè)計(jì)交換格式（EDIF）網(wǎng)表文件。

布局布線:通過(guò)功能仿真初步驗(yàn)證設(shè)計(jì)后，根據(jù)所選PLD的規(guī)格，將合成的網(wǎng)表文件轉(zhuǎn)換為器件中宏單元和邏輯門之間的連接關(guān)系。

時(shí)序仿真:與之前的仿真相比，在布局和布線中可以獲得更精確的RC參數(shù)。根據(jù)這些參數(shù)，在考慮特定適配器的各種延遲以確保在所有可能條件下正確響應(yīng)的情況下，通過(guò)仿真軟件再次驗(yàn)證電路的功能和時(shí)序。這一步也稱為后模擬。

設(shè)備編程下載:通過(guò)仿真確認(rèn)設(shè)計(jì)后，將文件編譯為設(shè)備可以識(shí)別的二進(jìn)制代碼并下載到芯片中。

一個(gè)集成的EDA開(kāi)發(fā)工具（如Quartus和Vivado）應(yīng)該能夠完成上述所有過(guò)程，并可以使用第三方軟件（如ModelSim）來(lái)幫助設(shè)計(jì)。

電參數(shù)：靜態(tài)工作電流:指集成電路信號(hào)輸入引腳無(wú)輸入信號(hào)時(shí)電源引腳回路中的DC電流。通常給出三個(gè)指標(biāo):典型值、最大值和最小值。

增益:指集成電路內(nèi)部放大器的放大能力。通常會(huì)標(biāo)注開(kāi)環(huán)增益和閉環(huán)增益，還會(huì)給出典型值、最大值和最小值等三個(gè)指標(biāo)。

最大輸出功率:指輸出信號(hào)失真不變（通常為10%）時(shí)，集成電路輸出引腳輸出的電信號(hào)的功率。一般也給出三個(gè)指標(biāo):典型值、最大值、最小值。主要用于功率放大器集成電路。

極限參數(shù)：最大電源電壓:指集成電路的電源引腳和接地引腳上可加的DC工作電壓的極限值。使用時(shí)不要超過(guò)該值，否則會(huì)損壞集成電路。

容許功耗:指集成電路中可以承受的最大功耗。主要用于大功率集成電路。

工作環(huán)境溫度:指集成電路能維持正常工作的最高和最低環(huán)境溫度。

儲(chǔ)存溫度:指集成電路在儲(chǔ)存條件下所能承受的最高和最低溫度。

集成電路覆蓋面廣，幾乎涉及各行各業(yè)，如計(jì)算機(jī)系統(tǒng)、汽車工程、航空航天工程、生物醫(yī)學(xué)工程等。同時(shí)，它們?cè)谲娛骂I(lǐng)域的應(yīng)用也非常廣泛，例如直升機(jī)控制系統(tǒng)和各種終端設(shè)備。人們生活中的許多設(shè)備也需要集成電路的支持，例如手機(jī)和電腦。

MEMS（微機(jī)電系統(tǒng)）:在半導(dǎo)體制造技術(shù)基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的新領(lǐng)域，目前主要應(yīng)用于消費(fèi)電子、汽車等領(lǐng)域。隨著產(chǎn)品的不斷成熟，在航空航天、醫(yī)學(xué)和工業(yè)上的應(yīng)用逐漸普及。

智能可穿戴終端是指可以直接穿戴在身上或集成到衣服和配飾中的設(shè)備，并可以通過(guò)軟件支持與云進(jìn)行交互。目前可穿戴終端多以手機(jī)輔助設(shè)備的形式出現(xiàn)，其中以智能手環(huán)、智能手表和智能眼鏡最為常見(jiàn)。

集成電路

工業(yè)機(jī)器人:從應(yīng)用行業(yè)來(lái)看，工業(yè)機(jī)器人服務(wù)于國(guó)民經(jīng)濟(jì)，其中3C制造業(yè)和汽車制造業(yè)在國(guó)內(nèi)工業(yè)機(jī)器人總銷量中占比最高。

虛擬現(xiàn)實(shí)（Virtual Reality，VR）是一種利用計(jì)算機(jī)仿真系統(tǒng)生成具有多源信息融合的交互式三維動(dòng)態(tài)真實(shí)場(chǎng)景和動(dòng)作模擬的技術(shù)，使用戶具有身臨其境的體驗(yàn)。

人工智能（AI）是一門研究和開(kāi)發(fā)用于模擬、延伸和擴(kuò)展人類智能的理論、方法、技術(shù)和應(yīng)用系統(tǒng)的新技術(shù)科學(xué)。該領(lǐng)域的研究包括機(jī)器人技術(shù)、語(yǔ)言識(shí)別、圖像識(shí)別、自然語(yǔ)言處理和專家系統(tǒng)。

通信設(shè)備:通信設(shè)備是用于實(shí)現(xiàn)通信功能的設(shè)備，如手機(jī)、路由器、調(diào)制解調(diào)器等。在集成電路中，通信器件通常需要使用高速電路和射頻電路等專用電路來(lái)實(shí)現(xiàn)高速傳輸和頻率調(diào)整。

消費(fèi)電子:消費(fèi)電子是指消費(fèi)者日常使用的電子設(shè)備，如電視、音響和相機(jī)。在集成電路中，消費(fèi)電子通常需要使用低功耗電路、嵌入式系統(tǒng)等技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)小尺寸和低功耗。

醫(yī)療設(shè)備:醫(yī)療設(shè)備是用于醫(yī)療保健的設(shè)備，如醫(yī)療儀器和醫(yī)療監(jiān)護(hù)設(shè)備。在集成電路中，醫(yī)療設(shè)備通常需要使用高精度和高可靠性的電路設(shè)計(jì)來(lái)確保其準(zhǔn)確性和安全性。

汽車電子:隨著汽車工業(yè)的快速發(fā)展，集成電路在汽車電子領(lǐng)域的應(yīng)用越來(lái)越廣泛。汽車電子包括發(fā)動(dòng)機(jī)管理系統(tǒng)、車身電子、車載信息娛樂(lè)系統(tǒng)等。常見(jiàn)的芯片包括處理器芯片、傳感器芯片、車載通信芯片等。集成電路的應(yīng)用可以提高汽車的性能、安全性和便利性。